閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
光學(xué)元件

高功率光隔離器及其制作過(guò)程中的一些共性問(wèn)題(二)

星之球激光 來(lái)源:道客巴巴2012-11-26 我要評(píng)論(0 )   

3 光隔離器主要技術(shù)參數(shù) 對(duì)于光隔離器,主要的技術(shù)指標(biāo)有插入損耗、反向隔離度、回波損耗、偏振相關(guān)損耗、偏振模色散等。 (1)插入損耗(Insertion Loss):隔離器芯主要由...

       3 光隔離器主要技術(shù)參數(shù)

  對(duì)于光隔離器,主要的技術(shù)指標(biāo)有插入損耗、反向隔離度、回波損耗、偏振相關(guān)損耗、偏振模色散等。

  (1)插入損耗(Insertion Loss):隔離器芯主要由法拉第旋轉(zhuǎn)器和兩片LN楔角片組成,法拉第旋轉(zhuǎn)器的消光比越高、反射率越低、吸收系數(shù)越小,插入損耗就越小,一般法拉第旋轉(zhuǎn)器的損耗約為0.02~0.06dB。平行光經(jīng)過(guò)隔離器芯后,會(huì)分成o,e兩束平行光。由于雙折射晶體的固有特性,o光和e光不能完全會(huì)聚,從而也會(huì)造成附加的插入損耗。

       (2) 反向隔離度(Isolation):反向隔離度是隔離器最重要的指標(biāo)之一,它表征隔離器對(duì)反向傳輸光的衰減能力。影響隔離器隔離度的因素有很多:1) 隔離度與偏振器距法拉第旋轉(zhuǎn)器的距離有關(guān);2) 隔離度與光學(xué)元件表面反射率的關(guān)系。隔離器中光學(xué)元件表面反射率越大,隔離器的反向隔離度就越差。實(shí)際工藝中必須使R小于0.25%,才能保證隔離度大于40 dB;3) 隔離度與偏振器楔角、間距有關(guān)。雙折射晶體為釩酸釔(YVO4)的光隔離器,當(dāng)其楔角小于2o時(shí),隔離度隨角度的增大而迅速增大,當(dāng)楔角大于2o時(shí),變化就小多了,大約穩(wěn)定在43.8 dB左右。光隔離度隨間距的增大而變化的幅度不大,因?yàn)楦綦x度主要取決于反向輸出光與光軸之間的夾角;4) 隔離度與晶軸相對(duì)角度的關(guān)系。兩個(gè)偏振器及旋光器晶軸相對(duì)角度對(duì)隔離度的影響是最大的,當(dāng)角度相差大于0.3o則隔離度將不會(huì)大于40 dB;5) 兩個(gè)偏振器的消光比,晶體厚度等也對(duì)隔離度有影響;6) 溫度及磁鐵的影響。在法拉第效應(yīng)中,維爾德常數(shù)是溫度的函數(shù),所以法拉第旋轉(zhuǎn)角也會(huì)隨著溫度而變化,而且溫度也會(huì)對(duì)永磁體的性能有影響,所以這也是重要因素之一。

  (3) 回波損耗(Return Loss):光隔離器的回波損耗是指正向入射到隔離器中的光功率和沿輸入路徑返回隔離器輸入端口的光功率之比,這是一個(gè)重要的指標(biāo),因?yàn)榛夭◤?qiáng),隔離度將受到很大的影響。隔離器的回波損耗由各元件和空氣折射率失配所形成反射引起。通常平面元件引起的回波損耗在14 dB左右,通過(guò)增透膜和斜面拋光等可以使回波損耗達(dá)到60 dB以上。光隔離器的回波損耗主要來(lái)自它的準(zhǔn)直光路(即準(zhǔn)直器部分),經(jīng)理論計(jì)算當(dāng)斜面傾角在8°時(shí),回波損耗大于65 dB。

  (4) 偏振相關(guān)損耗(Polarization Dependent Loss,PDL):PDL與插入損耗不同,它是指當(dāng)輸入光偏振態(tài)發(fā)生變化而其它參數(shù)不變時(shí),器件插入損耗的最大變化量,是衡量器件插入損耗受偏振態(tài)影響程度的指標(biāo)。對(duì)于偏振無(wú)關(guān)光隔離器,由于器件中存在著一些可能引起偏振的元件,不可能實(shí)現(xiàn)PDL為零,一般可接受PDL小于0.2 dB。

  (5) 偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD):PMD是指通過(guò)器件的信號(hào)光的不同偏振態(tài)之間的相位延遲,在高速光通訊系統(tǒng)中PMD非常重要。在光無(wú)源器件中,不同偏振模式具有不同的傳播軌跡和不同的傳播速度,產(chǎn)生相應(yīng)的偏振模色散。同時(shí),由于光源譜線有一定帶寬,也會(huì)引起一定色散。在偏振無(wú)關(guān)光隔離器中,雙折射晶體產(chǎn)生的兩束線偏振光以不同的相速和群速傳輸,即是PMD,其主要來(lái)源是用以分離和會(huì)聚o光及e光的雙折射晶體。它可由兩束線偏振光的光程差ΔL近似得到。PMD主要受e光和o光折射率差的影響,因此與波長(zhǎng)也有較大的關(guān)系。

  

4 高功率光隔離器關(guān)鍵技術(shù)

  與常見(jiàn)的光纖通信系統(tǒng)中使用的較低功率光隔離器相比,在較高的激光功率下,光隔離器的設(shè)計(jì)及制作也呈現(xiàn)出一些不同之處,這也是在高功率器件的設(shè)計(jì)研發(fā)中需要解決的主要問(wèn)題。

  (1) 光學(xué)元件在高功率密度激光輻射作用下的損傷問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題不僅在高功率光隔離器中存在,就是在其他高功率光器件的設(shè)計(jì)制作過(guò)程中也同樣要面對(duì)。為了解決此問(wèn)題,首先需要在產(chǎn)品的制作及測(cè)試過(guò)程中保證良好的環(huán)境潔凈度并選用損傷閾值較高的光學(xué)器件及光學(xué)薄膜,當(dāng)然這也受到產(chǎn)品成本的制約。因?yàn)榭諝庵械奈⑿☆w粒如果粘附在光學(xué)表面將極大降低光學(xué)表面的激光損傷閾值,這些微小顆粒對(duì)激光的吸收比較大,容易導(dǎo)致顆粒附近能量集中,從而導(dǎo)致光學(xué)表面薄膜損傷甚至面損傷,在元件表面出現(xiàn)麻點(diǎn)甚至小坑而使器件失效。其次,由于在通常情況下光學(xué)元件內(nèi)部的損傷閾值要比其表面的激光損傷閾值高很多,所以元件表面的激光功率密度也就決定了整個(gè)器件抗激光損傷的能力,尤其在脈沖工作的情況下更是如此。這時(shí)可以通過(guò)光學(xué)變換的方法設(shè)法使光學(xué)元件表面的光斑面積擴(kuò)大的方法來(lái)提高損傷閾值,例如擴(kuò)芯光纖方法以及擴(kuò)束透鏡光纖方法等就是利用這個(gè)原理工作的,或者通過(guò)激光脈沖展寬的方法變相地降低激光功率密度,通過(guò)避免激光能量在空間和時(shí)間上的集中能夠有效地提高產(chǎn)品的抗激光損傷性能。

       (2) 高功率器件的熱影響及散熱設(shè)計(jì)。因?yàn)楦吖β势骷ぷ髟谳^高的功率下,與低功率器件相比,更容易發(fā)熱,不可避免地會(huì)受到溫度上升的影響,所以器件的性能受到材料熱特性以及散熱設(shè)計(jì)的影響比較嚴(yán)重。通常旋光晶體的旋光特性容易受到溫度的影響,如果在器件工作時(shí)由于所吸收激光能量的積累而導(dǎo)致內(nèi)部溫度出現(xiàn)較大上升,就會(huì)使得旋光晶體對(duì)光偏振面的旋轉(zhuǎn)角度偏離正常值而導(dǎo)致性能明顯下降,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致器件損壞;另外,永磁體在高溫下工作也更容易發(fā)生磁場(chǎng)減弱和退磁現(xiàn)象,甚至出現(xiàn)磁場(chǎng)的不可逆損失,所以高溫對(duì)永磁體的穩(wěn)定工作也是不利的;而且,在特高光功率的情況下,光學(xué)元件的溫度會(huì)出現(xiàn)較大上升,由于熱量從內(nèi)部向表面?zhèn)鬟f,其內(nèi)部的溫度必然高于其表面的溫度,這樣就會(huì)在光學(xué)元件內(nèi)部出現(xiàn)溫度梯度和熱應(yīng)力,導(dǎo)致光束橫截面內(nèi)部中心的折射率和邊緣的折射率變化幅度不同,從而出現(xiàn)折射率差,也就是出現(xiàn)了類(lèi)透鏡效應(yīng),這將會(huì)改變光束的傳播特性,導(dǎo)致光束質(zhì)量嚴(yán)重下降,嚴(yán)重影響器件正常工作甚至導(dǎo)致?lián)p壞。因此,必須采取有效的措施減少對(duì)激光的吸收并有效散熱。減少對(duì)激光的吸收要求選用吸收系數(shù)較小的光學(xué)材料、減小光在元件內(nèi)部傳輸?shù)木嚯x、設(shè)計(jì)合理的結(jié)構(gòu),有效散熱就要求在熱量可能出現(xiàn)積累的地方提供有效的傳熱路徑并散熱,根據(jù)功率的大小可以采取被動(dòng)散熱或者主動(dòng)散熱的方法。報(bào)道中的萬(wàn)瓦級(jí)光隔離設(shè)計(jì)中就采用板條形狀的旋光晶體以提高器件的散熱控溫能力。

  (3) 高功率隔離器的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)。高功率光隔離器設(shè)計(jì)中的另一個(gè)關(guān)鍵是磁場(chǎng)及磁體的設(shè)計(jì)及選擇。一般情況下,光隔離器都是利用磁致旋光效應(yīng)工作的,所以必須在旋光晶體上加合適的磁場(chǎng)。為了節(jié)能以及方便使用,一般都采用強(qiáng)永磁材料來(lái)產(chǎn)生所需的磁場(chǎng),這時(shí)磁場(chǎng)及磁體的選擇和設(shè)計(jì)就非常重要,對(duì)器件的性能和成本影響很大。通常情況下都要求在旋光晶體的空間內(nèi)提供較強(qiáng)的均勻磁場(chǎng),這樣就能夠減小旋光晶體的尺寸,獲得較高的性能價(jià)格比,所以就要求在不明顯增加器件體積的情況下設(shè)計(jì)選擇合適的磁體以獲得較強(qiáng)的均勻磁場(chǎng)。具體設(shè)計(jì)中可通過(guò)選擇磁性能較強(qiáng)的磁體,并采用合適的形狀及體積,獲得所需磁場(chǎng)。#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#

  (4) 高功率隔離器的裝配工藝。高功率光隔離器要求能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定工作在惡劣的環(huán)境下,這就對(duì)器件的結(jié)構(gòu)以及裝配等工藝提出了很高的要求。設(shè)計(jì)良好的結(jié)構(gòu)及裝配工藝能夠有效減小光學(xué)元器件內(nèi)部的應(yīng)力,從而提高產(chǎn)品的性能及穩(wěn)定性,使得器件能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠工作。隔離器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中主要需要解決兩個(gè)問(wèn)題,首先是光學(xué)元器件的裝配,要求穩(wěn)定可靠,能夠有效散熱控溫;其次需要牢固可靠裝配強(qiáng)永磁鐵,隨著磁體設(shè)計(jì)制造能力的提高,器件中可能采用較復(fù)雜形狀的多塊磁體組合來(lái)提供較強(qiáng)的均勻磁場(chǎng),而磁體之間較強(qiáng)的磁力就要求設(shè)計(jì)合適的裝配工藝方法來(lái)可靠裝配磁體,并要求在裝配過(guò)程中不會(huì)導(dǎo)致磁體損壞或者退磁。這些都需要在實(shí)踐中積累并提高。

  上面僅簡(jiǎn)單介紹了在高功率光隔離器設(shè)計(jì)制作過(guò)程中常遇到的一些共性問(wèn)題,隨著應(yīng)用的拓展和深化,可能需要對(duì)隔離器作相應(yīng)的改進(jìn)或者重新設(shè)計(jì)以適應(yīng)技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展,在這個(gè)過(guò)程中很可能會(huì)出現(xiàn)在設(shè)計(jì)初期可能無(wú)法預(yù)料的問(wèn)題,這都要求我們根據(jù)具體情況提供相應(yīng)的解決方案,只有這樣才能不斷設(shè)計(jì)制作出性能優(yōu)良的能滿足應(yīng)用需要的高功率光隔離器。

 

轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

暫無(wú)關(guān)鍵詞
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來(lái)源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來(lái)源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書(shū)面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀