1970年Nikolai Basov、V. A. Danilychev、Yu. M. Popov在莫斯科Lebedev物理研究所發(fā)明了準分子激光,當時使用了氙氣受激發(fā)射的電子束激發(fā)態(tài)二聚體(Xe2),波長為172nm。不久這個技術得到了改善,1975年許多物理研究所開發(fā)了以稀有氣體鹵化物(XeBr)為發(fā)射源的準分子激光。這些物理研究所包括Avco Everett研究實驗室、Sandia國家實驗室,Northrop技術研發(fā)中心,以及美國海軍研究實驗室。繼而他們又開發(fā)了以微波放電方式的XeCl準分子激光,此發(fā)現使全球準分子研究領域的研究人員倍受鼓舞。
準分子激光的波長取決于所使用的分子,通常是在紫外波段:
Excimer Wavelength Relative Power (mW)
Ar2* 126nm
Kr2* 146nm
Xe2* 172nm
ArF 193nm 60
KrCl 222nm 25
KrF 248nm 100
XeBr 282nm
XeCl 308nm 50
#p#分頁標題#e#XeF 351nm 45
準分子激光技術是微電子芯片制造所需的關鍵技術之一,現已被廣泛應用于高分辨率光刻機。目前最先進的光刻工具是使用深紫外線(DUV)KrF和ArF波長為248nm和193nm準分子激光,也是目前占主導地位的光刻技術,因此也被稱為“準分子激光光刻技術”,這使得晶體管特征尺寸縮小45nm以下。在過去的20年,準分子激光光刻是所謂的摩爾定律繼續(xù)前進的關鍵。
準分子激光器的高功率紫外輸出也使其可用于眼科手術和皮膚病治療。準分子激光燈通常是吸收內的第一個 在過去的20多年里,這一技術取得驚人的發(fā)展。目前半導體光刻設備的銷售已經達到$400億美元/年,使芯片大小從1990年的0.5微米縮小到2010年小于45nm。預計這一趨勢發(fā)展估計,未來10年芯片將會縮小到接近10納米。在激光1960年發(fā)明以來,準分子激光光刻技術的發(fā)展,從更廣闊的科學和技術的角度上講,是激光#p#分頁標題#e#50年發(fā)展歷史的重要里程碑之一。
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