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預(yù)算1.6億!中科院半導(dǎo)體所公布2024年儀器設(shè)備采購(gòu)意向

激光制造網(wǎng) 來(lái)源:儀器信息網(wǎng)2024-06-13 我要評(píng)論(0 )   

近日,半導(dǎo)體所發(fā)布多批政府采購(gòu)意向,儀器信息網(wǎng)特對(duì)其中的儀器設(shè)備品目進(jìn)行梳理,統(tǒng)計(jì)出57項(xiàng)儀器設(shè)備采購(gòu)意向,預(yù)算總額達(dá)1.6億元,涉及半導(dǎo)體薄膜沉積、刻蝕等多個(gè)工...

近日,半導(dǎo)體所發(fā)布多批政府采購(gòu)意向,儀器信息網(wǎng)特對(duì)其中的儀器設(shè)備品目進(jìn)行梳理,統(tǒng)計(jì)出57項(xiàng)儀器設(shè)備采購(gòu)意向,預(yù)算總額達(dá)1.6億元,涉及半導(dǎo)體薄膜沉積、刻蝕等多個(gè)工藝制程。 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(簡(jiǎn)稱半導(dǎo)體所)是集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的綜合性研究機(jī)構(gòu)。 


 半導(dǎo)體所作為我國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的引領(lǐng)者,擁有眾多國(guó)家級(jí)、院級(jí)實(shí)驗(yàn)。兩個(gè)國(guó)家級(jí)研究中心—國(guó)家光電子工藝中心、光電子器件國(guó)家工程研究中心;三個(gè)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室—半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(半導(dǎo)體所區(qū));一個(gè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室—光電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;兩個(gè)院級(jí)實(shí)驗(yàn)室(中心)—中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。


此外,還設(shè)有半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)室、固態(tài)光電信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、納米光電子實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室和元器件檢測(cè)中心。 半導(dǎo)體所擁有先進(jìn)的科研設(shè)備和實(shí)力強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì),致力于推動(dòng)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。在量子點(diǎn)異質(zhì)外延、高性能激光器研發(fā)等領(lǐng)域取得顯著成果,并培養(yǎng)了大量高層次科研人才。同時(shí),與國(guó)內(nèi)外眾多科研機(jī)構(gòu)、大學(xué)和企業(yè)建立了廣泛的合作關(guān)系,共同推動(dòng)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。 


近日,半導(dǎo)體所發(fā)布多批政府采購(gòu)意向,儀器信息網(wǎng)特對(duì)其進(jìn)行梳理,統(tǒng)計(jì)出57項(xiàng)儀器設(shè)備采購(gòu)意向,預(yù)算總額達(dá)1.6億元,預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間為2024年5月-12月。 本次采購(gòu)的儀器設(shè)備涉及磁控濺射生長(zhǎng)設(shè)備、傅里葉變換光譜儀、低溫探針臺(tái)、無(wú)掩模直寫(xiě)型光刻機(jī)、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)、先進(jìn)低頻噪聲測(cè)試分析系統(tǒng)、低損傷復(fù)雜形貌刻蝕系統(tǒng)、原子力顯微鏡、綜合光電掃描測(cè)試系統(tǒng)等。涵蓋的半導(dǎo)體工藝制程較為全面,有薄膜沉積、光刻、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光、封裝和后道測(cè)試等,這些工藝步驟對(duì)于確保半導(dǎo)體芯片的性能和可靠性至關(guān)重要。從設(shè)備的采購(gòu)需求來(lái)看,半導(dǎo)體制程正朝著更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向發(fā)展。如無(wú)掩模直寫(xiě)型光刻機(jī),相較于有掩膜光刻機(jī)具有靈活性高、制作周期短、成本低等優(yōu)點(diǎn);低損傷復(fù)雜形貌刻蝕系統(tǒng)需滿足特殊結(jié)構(gòu)DFB、DBR光柵的制備,特別是具有高深寬比的圖形結(jié)構(gòu)。本次設(shè)備的采購(gòu)是不僅是對(duì)半導(dǎo)體所現(xiàn)有設(shè)備的重要補(bǔ)充,也將進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。    


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