根據(jù)天眼查信息，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司通過(guò)公開(kāi)增資的方式對(duì)中久大光進(jìn)行投資，5 月29 日完成增資工商變更，投資持股比例1%。

　　公司和中久大光戰(zhàn)略合作，特殊科研領(lǐng)域長(zhǎng)遠(yuǎn)布局。中久大光作為九院八所及中國(guó)久遠(yuǎn)激光技術(shù)成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化的依托平臺(tái)，公司主要經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)為：光纖激光設(shè)備、光纖激光器等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，提供安防科研和高端加工應(yīng)用激光光源和解決方案。長(zhǎng)光華芯與特殊科研領(lǐng)域行業(yè)龍頭中久大光達(dá)成深度戰(zhàn)略合作關(guān)系，意味著未來(lái)雙方有望聯(lián)合布局，拓展自身在特殊科研領(lǐng)域的研發(fā)和制造的能力。
　　56G PAM4 EML 芯片發(fā)布，進(jìn)軍高端光通信市場(chǎng)。公司最早于2010 年開(kāi)始布局InP 激光芯片，建立的InP 平臺(tái)、產(chǎn)線，屆時(shí)已具備2.5GFP 量產(chǎn)能力。
　　2020 年，公司開(kāi)始研發(fā)10GAPD 和L 波段高功率EML 芯片。目前兩款產(chǎn)品已與下游客戶進(jìn)行驗(yàn)證，驗(yàn)證順利。公司于5 月18 日發(fā)布單波100Gbps（56Gbaud 四電平脈沖幅度調(diào)制（PAM4））電吸收調(diào)制器激光二極管（EML）芯片，支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用（CWDM），達(dá)到了使用4 顆芯片實(shí)現(xiàn)400Gbps 傳輸速率，或8 顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps 傳輸速率目標(biāo)。此次56G PAM4 EML 芯片的發(fā)布，意味著公司進(jìn)入光芯片高端市場(chǎng)，開(kāi)啟廣闊增長(zhǎng)空間。
　　IDM 廠商橫縱向擴(kuò)張，長(zhǎng)期看競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。激光器芯片核心在制造和工藝上，其中設(shè)計(jì)占價(jià)值量20%，生產(chǎn)制造占80%。公司作為IDM 廠商已建成3+6 吋激光芯片量產(chǎn)線，具備晶圓工藝、化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和芯片層面的激光光學(xué)加工三層工藝，掌握外延生長(zhǎng)技術(shù)、FAB 晶圓工藝、腔面鈍化技術(shù)、高亮度合束（光學(xué)耦合技術(shù)）四大核心技術(shù)。其中關(guān)鍵工藝相關(guān)的設(shè)備自己設(shè)計(jì)制造，與工藝高度綁定。憑借IDM 技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司一方面更好地理解客戶需求，使生產(chǎn)更具彈性，生產(chǎn)效率更高；另一方面，IDM 模式利于公司在下游客戶的引領(lǐng)下完成產(chǎn)品和技術(shù)的快速迭代。此外，公司基于GaAs 材料體系向InP 和GaN 延伸，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，戰(zhàn)略布局光通訊EML、激光雷達(dá)VCSEL、可見(jiàn)光激光（藍(lán)、綠光）等產(chǎn)品。