據(jù)悉，高功率高亮度半導體激光芯片是激光產(chǎn)業(yè)鏈的基石與源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為核心指標，直接影響激光系統(tǒng)的性能、體積與成本，是實現(xiàn)激光系統(tǒng)小型化、輕量化、智能化的前提和保證。長光華芯致力于更高功率、更高亮度單管芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，日前單管芯片功率突破性的達到66W。

　　2023年1月，在photonics west 2023會議上， 長光華芯首次報道了在亮度保持不變的條件下(芯片條寬230μm)，芯片出光功率提升20%(功率從32W提升到40W)，最大功率超過51W.該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報道的最高水平，長光華芯為實現(xiàn)高亮度條件下芯片功率的持續(xù)提升而不斷探索。

　　2023年2月，基于在photonics west報道的芯片技術(shù)長光華芯開發(fā)了更高功率芯片寬條寬半導體激光芯片，在業(yè)內(nèi)首次推出最大功率超過66W的單管芯片(熱沉溫度為室溫)，芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

　　長光華芯專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導體激光行業(yè)最核心領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題，建成了完全自研的芯片設(shè)計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導體激光器企業(yè)，有力推動了我國超高功率激光技術(shù)及其應用的快速發(fā)展。