8月17日，寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者II-VI宣布完成為東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司提供150nm碳化硅（SiC）基片超過1億美元的合同。該基片將于本季度開始交付，直到2023年年底。

東莞天域半導(dǎo)體成立于2009年，是中國第一家最大的SiC外延晶片制造商之一。該公司與II-VI公司簽署了一份長期供應(yīng)合同，并支付了預(yù)付款，以確保其150nm SiC基板產(chǎn)能將滿足其到2023年的需求。

當(dāng)下，交通基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備的電氣化正在加速以第三代或?qū)拵栋雽?dǎo)體碳化硅 (SiC) 為基礎(chǔ)的電力電子的市場轉(zhuǎn)型。與最先進(jìn)的硅基器件相比，SiC使電力電子器件體積更小、效率更高，擁有的總系統(tǒng)級成本更低。另外，鑒于其廣泛的應(yīng)用范圍，基于SiC的電力電子產(chǎn)品能夠顯著減少二氧化碳排放和能源消耗，對環(huán)境有著非常有益的影響。

此前2021年11月，天域選擇II-VI作為其主要戰(zhàn)略合作伙伴，為電力電子產(chǎn)品供應(yīng)150nm SiC基片。隨著終端需求的大幅增長，天域通過這份長期、大批量的合同來確保供應(yīng)變得至關(guān)重要，這份合同將會反復(fù)重申，并隨著時間的推移而持續(xù)增值。

II-VI去年曾表示，未來5年內(nèi)，將SiC襯底的生產(chǎn)能力提高5-10倍。為了滿足亞洲市場的需求，II-VI在2021年建立了一條超過50,000平方公里的SiC基板后端加工生產(chǎn)線，位于中國福州的II-VI亞洲區(qū)域總部。該生產(chǎn)線主要進(jìn)行后端SiC晶圓加工，包括化學(xué)機(jī)械拋光、邊緣研磨、清洗和檢測，生產(chǎn)的產(chǎn)品主要用于SiC導(dǎo)電襯底。最終，天域?qū)⑹芤嬗贗I-VI在美國和中國的150nm SiC全球產(chǎn)能。

早在今年3月8日，東莞天域的“國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目已獲得廣東省發(fā)改委正式復(fù)核通過。公告顯示，該項目總投資額為2.138億元，計劃年產(chǎn)2萬片碳化硅外延片。

天域和II-VI將提供高質(zhì)量可靠的供應(yīng)鏈和未來200nm的能力，這對支持電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)電源等超級市場對SiC電力電子產(chǎn)品的快速增長的需求至關(guān)重要。天宇已經(jīng)做好了服務(wù)中國電動汽車電力電子市場的準(zhǔn)備，中國目前是世界上最大的電動汽車市場。