光電子產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系的“關鍵少數(shù)”，涉及多個國家亟待解決的“卡脖子”技術，技術壁壘高、產(chǎn)業(yè)帶動性強、頭雁效應明顯，是新一輪科技革命全球必爭之域。近年來，西安高新區(qū)立足秦創(chuàng)原全域承載，以“追光計劃”為牽引，推動光電子產(chǎn)業(yè)能級不斷提升，實現(xiàn)了從0到1、由弱到強的一系列重大跨越。過去一年，西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模躍居中西部第一，一批又一批“卡脖子”技術難題取得突破，西安高新區(qū)的“西高芯”品牌正變得愈發(fā)響亮。

外引內(nèi)培雙向發(fā)力產(chǎn)業(yè)規(guī)模躍居中西部第一

6月14日，總投資達110億元的西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地二期項目正式開工，這是奕斯偉進入西安高新區(qū)兩年來又一次增資擴產(chǎn)，也是西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)的又一次壯大和升級。

奕斯偉是國內(nèi)極少數(shù)能量產(chǎn)大尺寸硅片的半導體材料企業(yè)，擁有國際一流的生產(chǎn)檢測設備和先進的廠房與動力系統(tǒng)，工藝技術已達到全球第一梯隊水平。目前，奕斯偉在西安高新區(qū)擁有一座月產(chǎn)能達50萬片的硅片工廠，已為多家海內(nèi)外晶圓廠提供拋光片和外延片。

作為西安高新區(qū)通過產(chǎn)業(yè)鏈精準招商引進的企業(yè)，奕斯偉的到來，進一步填補了西安高新區(qū)在材料設備領域的短板，推動半導體及集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)形成了集“材料設備—IC設計—IC制造—IC封測”于一體的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

在奕斯偉到來之前，西安高新區(qū)半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)已成規(guī)模。

在設計環(huán)節(jié)，集聚了紫光國芯、華為研究院、智多晶微等近60家企業(yè)；在制造環(huán)節(jié)，西安高新區(qū)擁有三星、美光等制造龍頭企業(yè)，已成為我國存儲芯片重要一極；在封測環(huán)節(jié)，西安高新區(qū)已形成了以三星、美光、力成、威世半導體等企業(yè)為代表的封裝測試企業(yè)群。

半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈只是西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)三大產(chǎn)業(yè)鏈之一，除此之外，西安高新區(qū)還在光子產(chǎn)業(yè)領域形成了“材料—器件—系統(tǒng)集成—工藝平臺與應用”的完整產(chǎn)業(yè)鏈，在智能終端產(chǎn)業(yè)領域，打造出了包含“關鍵零部件—智能終端設計制造—應用與服務”等關鍵環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈條。?

在產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善的同時，西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在加速壯大。數(shù)據(jù)顯示，2021年，西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模達3344.63億元，同比增長了17.13%，躍升至中西部第一。

外引內(nèi)培雙向發(fā)力，是西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)短期內(nèi)實現(xiàn)跨越式發(fā)展的重要動力。

據(jù)了解，近年來，西安高新區(qū)充分發(fā)揮“鏈長制”機制優(yōu)勢，全力“建鏈、補鏈、強鏈、延鏈”，引進了先進阿秒激光設施項目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地擴產(chǎn)項目等一批高質(zhì)量項目；與此同時，西安高新區(qū)充分發(fā)揮企業(yè)梯度培育體系，自主培育了一批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，形成了龍頭企業(yè)“頂天立地”，中小微企業(yè)“鋪天蓋地”的格局。

如今，在三星、奕斯偉、比亞迪電子等一批龍頭企業(yè)的帶動下，西安高新區(qū)即將成為全球最大的閃存芯片生產(chǎn)基地，具備了全國領先的智能終端設計制造規(guī)模，并有了全國領先的軟件信息綜合服務水平。與此同時，西安高新區(qū)自主培育的芯派電子、航天民芯、拓爾微電子等一批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)同樣扮演著舉足輕重的作用，充分彰顯出西安高新區(qū)民營企業(yè)的發(fā)展實力，為光電子產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展注入了新的活力。

聚力攻關不斷突破 部分科技成果躋身全球領先

2021年12月20日，第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結果發(fā)布儀式在珠海開幕。紫光國芯憑借其SeDRAM?（異質(zhì)集成嵌入式動態(tài)隨機存儲器）技術，成功斬獲“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎。

據(jù)了解，SeDRAM?由紫光國芯歷時7年研發(fā)而成，技術水平世界領先。這是西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)近年來取得的重大創(chuàng)新成果之一。

作為全國光電子產(chǎn)業(yè)的重要一極，西安高新區(qū)近年來大力推行關鍵核心技術“揭榜掛帥”制度，實施“科創(chuàng)九條”等一系列政策措施，構建起開放的創(chuàng)新研發(fā)體系，聚合起區(qū)內(nèi)高校、科研院所、龍頭企業(yè)等各類研發(fā)力量，誕生了一批科技創(chuàng)新成果，攻破了一個又一個“卡脖子”技術難題。這些科技成果分布在光電子產(chǎn)業(yè)各個產(chǎn)業(yè)領域和關鍵環(huán)節(jié)，部分成果技術水平已達全球領先。

在光子產(chǎn)業(yè)領域，西安光機所攻關的大功率半導體激光芯片制造技術已在多個國家級重大預研項目中實現(xiàn)應用，解決了國內(nèi)激光芯片的封裝、制冷的行業(yè)共性問題；西光所聯(lián)合飛秒光電，在光通訊領域核心基礎元器件領域同樣取得重大成果，其自聚焦透鏡技術已獲國家科技進步二等獎；唐晶量子VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）外延片生長技術已達到國際先進水平，完全實現(xiàn)了進口替代。

此外，西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)在材料、器件、加工平臺等環(huán)節(jié)，均取得關鍵核心技術突破，使光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展進一步突破了瓶頸、釋放了活力。

目前，西安高新區(qū)已經(jīng)成為我國光電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。數(shù)據(jù)顯示，截至目前，西安高新區(qū)主導或參與制定光電子領域國家標準和行業(yè)標準超400項，獲得國家科技發(fā)明獎、進步獎近10項，承擔國家科技重大專項、重點研發(fā)計劃百余項，累計授權專利超4萬項。

為了進一步激發(fā)創(chuàng)新活力，西安高新區(qū)還在積極推動各類創(chuàng)新平臺建設。當前，中科院授時中心、先進阿秒光源等基礎研究平臺、秦創(chuàng)原集成電路加速器、西電寬禁帶半導體國家工程研究中心等，一批多元主體創(chuàng)新平臺正在加速推進。未來，隨著這些創(chuàng)新平臺的投用，西安高新區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新體系將進一步完善，創(chuàng)新活力將進一步迸發(fā)，“西高芯”的品牌將更加響亮。