圖d：在導帶邊緣（白線）加壓，電子密度通過不同顏色顯示的能量進行解析。偏壓驅動電子通過虛線箭頭指示的非輻射躍遷。這將泵浦薄阱中的能態(tài)，比綠色箭頭指示的較寬阱能態(tài)更為密集，從而允許太赫茲光子的凈受激發(fā)射。

量子級聯(lián)激光器的概念在1971年被提出，但直到1994年才由Faist及其同事首次證明，隨后由美國貝爾實驗室研制成功。該方法為眾多基礎實驗和應用實驗提供了價值，尤其是紅外波段。自2001年以來，用于太赫茲發(fā)射的量子級聯(lián)激光器也取得了實質性進展。但是對低溫冷卻劑（通常是液氦）的需求大大增加了復雜性和成本，并使設備變得更加龐大和不易移動，從而阻礙其被廣泛應用。七年前，運行溫度達到200K（－73℃）左右，而追求更高溫度下運行太赫茲量子級聯(lián)激光器的進展就停滯于此。

打破依賴低溫制冷技術的障礙

達到200K已經(jīng)算是一項令人印象深刻的壯舉了。這個溫度剛好低于可以用熱電制冷取代低溫技術的界限。自2012年以來，溫度紀錄沒有發(fā)生變化，這也意味著某種“心理障礙”開始設立，許多場景開始接受太赫茲量子級聯(lián)激光器必須與低溫冷卻器一起工作的現(xiàn)實。

如今，ETH團隊已經(jīng)突破了這一障礙。他們在Applied Physics Letters期刊中提出了一種熱電冷卻的太赫茲量子級聯(lián)激光器，工作溫度提高至210K。此外，所發(fā)射的激光足夠強，可以用室溫探測器進行測量。這意味著整個裝置無需低溫冷卻也能正常工作，進一步增強了該方法在實際應用中的潛力。

Bosco、Franckie及其同事基于兩方面的努力消除了“冷卻障礙”。首先，他們在量子級聯(lián)激光器堆棧的設計中使用了最簡單的單一結構，每個周期兩個量子阱（圖d）。這種方法被認為是一種獲得更高工作溫度的途徑，但同時這種雙阱設計對半導體幾何結構的最小變化也非常敏感。對某一參數(shù)的優(yōu)化會導致另一參數(shù)的惡化。由于系統(tǒng)的實驗優(yōu)化不是可行的選擇，他們不得不依賴于數(shù)值模擬。

團隊取得的第二個實質性進展在最近的研究中被證實，他們可以使用一種稱為非平衡格林函數(shù)模型的方法精確地模擬復雜的實驗量子級聯(lián)激光器。計算必須在強大的計算機集群上進行，其效率足夠高，可以為最優(yōu)設計進行系統(tǒng)地搜索。該小組具備準確預測器件性能并根據(jù)精確的規(guī)格制造器件的能力，從而實現(xiàn)了一系列在熱電制冷可達到的溫度范圍持續(xù)工作的激光器（見圖a和b）。而且，現(xiàn)有方法絕不是窮途末路，F(xiàn)aist團隊有進一步提高操作溫度的想法，初步結果看起來確實很有希望。

填補太赫茲空白隙

太赫茲量子級聯(lián)激光器能夠在無需低溫冷卻的情況下工作的首次演示，填補了“太赫茲空白隙”。太赫茲空白隙長期存在于成熟的微波和紅外輻射技術之間。在沒有任何移動部件或循環(huán)液體的情況下，ETH物理學家引入的熱電冷卻太赫茲量子級聯(lián)激光器更容易突破專業(yè)實驗室的限制進行應用和維護，從而進一步揭開“太赫茲寶箱”的“蓋子”。